Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SPB80P06PGATMA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO263-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO263-3; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -80А.
Сопротивление в открытом состоянии — 23мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 340Вт; Полярность — полевой.
Технология — SIPMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SPB80P06PGATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO263-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SPB80P06PGATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
