Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SPB20N60S5ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SPB20N60S5ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 208Вт; TO263
Ток стока: 20 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies SPB20N60S5ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 20 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Напряжение сток-исток — 600В; Рассеиваемая мощность — 208Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 21нC.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул SPB20N60S5ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 20 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SPB20N60S5ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
