Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies ISS17EP06LMXTSA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: ISS17EP06LMXTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -300мА; 360мВт; SOT23
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies ISS17EP06LMXTSA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -0,3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,7Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,36Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,79нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул ISS17EP06LMXTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ISS17EP06LMXTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
