Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies ISP12DP06NMXTSA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: ISP12DP06NMXTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; 4,2Вт; SOT223
Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies ISP12DP06NMXTSA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -2,8А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,125Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 4,2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 20,2нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул ISP12DP06NMXTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ISP12DP06NMXTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
