Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies ISC104N12LM6ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: ISC104N12LM6ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 63А; Idm: 252А; 94Вт
Ток стока: 63 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies ISC104N12LM6ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 63 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 120В; Сопротивление в открытом состоянии — 10,4мОм; Рассеиваемая мощность — 94Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 4нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 252А.
Перед заказом проверьте артикул ISC104N12LM6ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 63 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ISC104N12LM6ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
