Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLR3636TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRLR3636TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 99А; 143Вт; DPAK
Ток стока: 99 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRLR3636TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 99 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 60В; Рассеиваемая мощность — 143Вт; Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — logic level.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRLR3636TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 99 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLR3636TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
