Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLR2905TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRLR2905TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Ток стока: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRLR2905TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 30 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 27мОм; Рассеиваемая мощность — 110Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 48нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±16В; Ток стока в импульсном режиме — 160А.
Перед заказом проверьте артикул IRLR2905TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLR2905TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
