Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRLHS6376TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; 1,5Вт; PQFN2X2
Ток стока: 3,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN2X2 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN2X2.
Напряжение сток-исток — 30В; Рассеиваемая мощность — 1,5Вт; Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — logic level.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRLHS6376TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN2X2
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLHS6376TRPBF
Материалы
Документация
Техническое описание: irlhs6376pbfEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
