Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLHS6342TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRLHS6342TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; 2,1Вт; PQFN2X2
Ток стока: 8,5 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN2X2 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRLHS6342TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8,5 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN2X2.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 15,5мОм; Рассеиваемая мощность — 2,1Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 11нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул IRLHS6342TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8,5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN2X2
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLHS6342TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
