Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLHM630TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRLHM630TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3
Ток стока: 21 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN3.3X3.3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRLHM630TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 21 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN3.3X3.3.
Напряжение сток-исток — 30В; Рассеиваемая мощность — 2,7Вт; Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — logic level.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRLHM630TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 21 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN3.3X3.3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLHM630TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
