Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLB8314PBF — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRLB8314PBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO220AB
Ток стока: 120 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRLB8314PBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,4мОм; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 664А.
Перед заказом проверьте артикул IRLB8314PBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLB8314PBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
