Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLB4030PBF — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRLB4030PBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 370Вт; TO220AB
Ток стока: 180 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRLB4030PBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 180 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 4,3мОм; Рассеиваемая мощность — 370Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 87нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±16В.
Перед заказом проверьте артикул IRLB4030PBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 180 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLB4030PBF
Материалы
Документация
Техническое описание: irlb4030pbfEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
