Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRL80HS120 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRL80HS120
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2
Ток стока: 9 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN2X2 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRL80HS120 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN2X2.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 32мОм; Рассеиваемая мощность — 5,8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 4,7нC; Технология — OptiMOS™ 5; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRL80HS120, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN2X2
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRL80HS120
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
