Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRL60HS118 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRL60HS118
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2
Ток стока: 13 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN2X2 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRL60HS118 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 13 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN2X2.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 17мОм; Рассеиваемая мощность — 5,8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 5,3нC; Технология — OptiMOS™ 5; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRL60HS118, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 13 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN2X2
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRL60HS118
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
