Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRL530NSTRLPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRL530NSTRLPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Ток стока: 17 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRL530NSTRLPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 17 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 3,8Вт; Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — logic level.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRL530NSTRLPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 17 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRL530NSTRLPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
