Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFSL4010PBF — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRFSL4010PBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; TO262
Ток стока: 180 А · Монтаж: THT · Корпус: TO262 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRFSL4010PBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 180 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO262.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFSL4010PBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 180 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO262
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFSL4010PBF
Материалы
Документация
Техническое описание: irfs4010pbfEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
