Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFSL3206PBF — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRFSL3206PBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 210А; 300Вт; TO262
Ток стока: 210 А · Монтаж: THT · Корпус: TO262 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFSL3206PBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 210 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO262.
Напряжение сток-исток — 60В; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFSL3206PBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 210 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO262
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFSL3206PBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
