Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFR5305TRPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRFR5305TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -28А; 89Вт; DPAK
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRFR5305TRPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение сток-исток — -55В; Ток стока — -28А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 89Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFR5305TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFR5305TRPBF
Материалы
Документация
Техническое описание: irfr5305pbfEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
