Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFR1018ETRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRFR1018ETRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 79А; 110Вт; DPAK
Ток стока: 79 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFR1018ETRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 79 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 60В; Рассеиваемая мощность — 110Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFR1018ETRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 79 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFR1018ETRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
