Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFP4768PBFXKMA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRFP4768PBFXKMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Ток стока: 66 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247AC · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFP4768PBFXKMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 66 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247AC.
Напряжение сток-исток — 250В; Сопротивление в открытом состоянии — 17,5мОм; Рассеиваемая мощность — 520Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 180нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 370А.
Перед заказом проверьте артикул IRFP4768PBFXKMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 66 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247AC
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFP4768PBFXKMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
