Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFP4668PBF — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRFP4668PBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC
Ток стока: 130 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247AC · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFP4668PBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 130 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247AC.
Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 9,7мОм; Рассеиваемая мощность — 520Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 161нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул IRFP4668PBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 130 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247AC
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFP4668PBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
