Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFHS9301TRPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRFHS9301TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 2,1Вт; PQFN2X2
Монтаж: SMD · Корпус: PQFN2X2 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFHS9301TRPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN2X2; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -6А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,1Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFHS9301TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN2X2
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFHS9301TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
