Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRFHM8326TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 19А; 2,8Вт; PQFN3.3X3.3
Ток стока: 19 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN3.3X3.3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 19 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN3.3X3.3.
Напряжение сток-исток — 30В; Рассеиваемая мощность — 2,8Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFHM8326TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 19 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN3.3X3.3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFHM8326TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
