Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFH5210TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRFH5210TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; 3,6Вт; PQFN5X6
Ток стока: 10 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN5X6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFH5210TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN5X6.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 3,6Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFH5210TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN5X6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFH5210TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
