Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFH5010TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRFH5010TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 250Вт; PQFN5X6
Ток стока: 13 А · Монтаж: SMD · Корпус: PQFN5X6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRFH5010TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 13 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN5X6.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 250Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFH5010TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 13 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN5X6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFH5010TRPBF
Материалы
Документация
Техническое описание: irfh5010pbfEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
