Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF8707TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF8707TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,1А; Idm: 88А; 1,6Вт; SO8
Ток стока: 9,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF8707TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 17,5мОм; Рассеиваемая мощность — 1,6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 9,3нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 88А.
Перед заказом проверьте артикул IRF8707TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 9,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF8707TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
