Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF8010STRLPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF8010STRLPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 260Вт; D2PAK
Ток стока: 80 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF8010STRLPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 80 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 260Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF8010STRLPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 80 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF8010STRLPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
