Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF7807ZTRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF7807ZTRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Ток стока: 11 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF7807ZTRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.
Напряжение сток-исток — 30В; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF7807ZTRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 11 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF7807ZTRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
