Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF7601TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF7601TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,7А; 1,8Вт; SO8
Ток стока: 5,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF7601TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.
Напряжение сток-исток — 20В; Рассеиваемая мощность — 1,8Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF7601TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF7601TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
