Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF7342TRPBF — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: IRF7342TRPBF
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF7342TRPBF. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -55В; Ток стока — -3,4А.
Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF7342TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF7342TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
