Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF6785MTRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF6785MTRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 19А; 57Вт; DirectFET
Ток стока: 19 А · Монтаж: SMD · Корпус: DirectFET · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF6785MTRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 19 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DirectFET.
Напряжение сток-исток — 200В; Рассеиваемая мощность — 57Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF6785MTRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 19 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DirectFET
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF6785MTRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
