Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF6668TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF6668TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 89Вт; DirectFET
Ток стока: 55 А · Монтаж: SMD · Корпус: DirectFET · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRF6668TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 55 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DirectFET.
Напряжение сток-исток — 80В; Рассеиваемая мощность — 89Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF6668TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 55 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DirectFET
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF6668TRPBF
Материалы
Документация
Техническое описание: irf6668pbfEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
