Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF6613TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF6613TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 23А; 89Вт; DirectFET
Ток стока: 23 А · Монтаж: SMD · Корпус: DirectFET · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF6613TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 23 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DirectFET.
Напряжение сток-исток — 40В; Рассеиваемая мощность — 89Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF6613TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 23 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DirectFET
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF6613TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
