Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF5802TRPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF5802TRPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Ток стока: 0,9 А · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF5802TRPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP6.
Напряжение сток-исток — 150В; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF5802TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF5802TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
