Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF5210STRLPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRF5210STRLPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK
Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF5210STRLPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -40А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3,8Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF5210STRLPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF5210STRLPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
