Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF5210PBF — Транзисторы с каналом P THT
MPN / артикул: IRF5210PBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF5210PBF. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -40А.
Сопротивление в открытом состоянии — 60мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 200Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,12мкC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRF5210PBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220AB
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF5210PBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
