Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF40R207 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF40R207
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 64А; 83Вт; DPAK
Ток стока: 64 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF40R207 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 64 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 5,1мОм; Рассеиваемая мощность — 83Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 45нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRF40R207, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 64 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF40R207
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
