Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF3808STRLPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF3808STRLPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK
Ток стока: 75 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF3808STRLPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 75 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 75В; Сопротивление в открытом состоянии — 7мОм; Рассеиваемая мощность — 200Вт; Полярность — полевой.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 550А.
Перед заказом проверьте артикул IRF3808STRLPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 75 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF3808STRLPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
