Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF300P227 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRF300P227
Транзистор: N-MOSFET; StrongIRFET™; полевой; 300В; 35А; 313Вт
Ток стока: 35 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247AC · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF300P227 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 35 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247AC.
Напряжение сток-исток — 300В; Сопротивление в открытом состоянии — 40мОм; Рассеиваемая мощность — 313Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 107нC; Технология — StrongIRFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRF300P227, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 35 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247AC
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF300P227
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
