Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF200B211 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRF200B211
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 34А; 80Вт; TO220AB
Ток стока: 9 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF200B211 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.
Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,17Ом; Рассеиваемая мощность — 80Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 23нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 34А.
Перед заказом проверьте артикул IRF200B211, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 9 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF200B211
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
