Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF135S203 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF135S203
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 135В; 91А; Idm: 512А; 441Вт; D2PAK
Ток стока: 91 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF135S203 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 91 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 135В; Сопротивление в открытом состоянии — 8,4мОм; Рассеиваемая мощность — 441Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,27мкC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 512А.
Перед заказом проверьте артикул IRF135S203, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 91 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF135S203
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
