Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF1010NSTRLPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK
Ток стока: 60 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 60 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 11мОм; Рассеиваемая мощность — 180Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,12мкC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRF1010NSTRLPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 60 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF1010NSTRLPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
