Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF1010EPBF — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRF1010EPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB
Ток стока: 81 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF1010EPBF — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 81 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 12мОм; Рассеиваемая мощность — 170Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 86,6нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRF1010EPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 81 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF1010EPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
