Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF100S201 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IRF100S201
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK
Ток стока: 136 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IRF100S201 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 136 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 4,2мОм; Рассеиваемая мощность — 441Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 255нC; Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 690А.
Перед заказом проверьте артикул IRF100S201, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 136 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF100S201
Материалы
Документация
Техническое описание: IRF100x201EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
