Infineon Technologies IR2010PBF — Драйверы MOSFET/IGBT
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: THT · Корпус: DIP14 · Мощность: 1,6 Вт · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Описание
Infineon Technologies IR2010PBF. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — в отверстия (THT); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — DIP14; Мощность — 1,6 Вт.
Напряжение питания — 10...20В DC; Время включения — 95нс; Время выключения — 65нс; Выходной ток — -3...3А.
Тип микросхемы — driver; Количество каналов — 2; Характеристики интегральных схем — integrated bootstrap functionality; генератор подкачки заряда; мертвое время; Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора.
Топология — полумост MOSFET; Класс напряжения — 200В.
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- THT
- Корпус
- DIP14
- Мощность
- 1,6 Вт
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IR2010PBF
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
