Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPZ60R017C7XKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPZ60R017C7XKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 69А; 446Вт; PG-TO247-4
Ток стока: 69 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO247-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPZ60R017C7XKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 69 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO247-4.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 17мОм; Рассеиваемая мощность — 446Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 240нC; Технология — CoolMOS™ C7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPZ60R017C7XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 69 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO247-4
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPZ60R017C7XKSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPZ60R017C7EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
