Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPW65R080CFDA — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPW65R080CFDA
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 27,4А; 391Вт; PG-TO247-3
Ток стока: 27,4 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO247-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPW65R080CFDA — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 27,4 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO247-3.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 80мОм; Рассеиваемая мощность — 391Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPW65R080CFDA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 27,4 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO247-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPW65R080CFDA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
