Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPW60R080P7 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPW60R080P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; PG-TO247-3; ESD
Ток стока: 23 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO247-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPW60R080P7 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 23 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO247-3.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 80мОм; Рассеиваемая мощность — 129Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPW60R080P7, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 23 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO247-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPW60R080P7
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
