Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPU50R1K4CEBKMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; IPAK
Ток стока: 3,1 А · Монтаж: THT · Корпус: IPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,1 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — IPAK.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 25Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™ CE; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPU50R1K4CEBKMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,1 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- IPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPU50R1K4CEBKMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
