Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPT029N08N5ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPT029N08N5ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-HSOF-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPT029N08N5ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-HSOF-8.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,9мОм; Рассеиваемая мощность — 167Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 70нC; Технология — OptiMOS™ 5; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 676А.
Перед заказом проверьте артикул IPT029N08N5ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-HSOF-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPT029N08N5ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
